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	nand flash
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          nand flash 文章
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          用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創(chuàng)造新可能
          
                                                            
            
                    	
          • AI的計算、數(shù)據(jù)傳輸與存儲已經(jīng)成為當下數(shù)據(jù)中心和服務器端最為關注的問題之一。在有限的空間和成本內(nèi)如何實現(xiàn)更高的收益，如何讓存儲方案給計算單元提供充足的數(shù)據(jù)支持，加速數(shù)據(jù)交換，節(jié)省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技術如何扮演起關鍵角色。閃存技術最初被廣泛應用在消費級產(chǎn)品中，旨在縮小存儲方案占用空間、提升性能。隨著閃存技術的不斷升級，這項技術已經(jīng)從成為消費級產(chǎn)品存儲主力，并緊接著在網(wǎng)絡、云計算的企業(yè)級存儲中提供高速的數(shù)據(jù)存取支持。如今數(shù)據(jù)存儲正在邁向AI時代，通過大量創(chuàng)新型的存儲方案創(chuàng)造更多可能性。例
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          • 關鍵字：
                        鎧俠  BiCS Flash                          
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          長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
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          • 關鍵字：
                        長江存儲  半導體  3D NAND  晶棧  Xtacking                          
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           SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調整，跟隨美光和三星
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業(yè)消息來源還表
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND  三星  AI  海力士                           
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          Kioxia 股價因 NAND 短缺上漲 70%；SK hynix 收獲股份收益
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產(chǎn)商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應短缺的情況下急劇上漲。報道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現(xiàn)在正實現(xiàn)顯著的價值增長。報道指出，截至 16 日，Kioxia 在東京證券交易所的股價在過去一個月內(nèi)上漲了 70%。隨著鎧俠股價飆升，作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據(jù)報道，2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元（約 3.9 萬億韓元）的貝恩資本主導的
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          • 關鍵字：
                        鎧俠  NAND  人工智能  SSD                          
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          美光凍結價格，推理 AI 推動 SSD 需求激增及供應短缺
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓練 AI 轉向推理 AI，推動了對大容量內(nèi)存需求的持續(xù)增長，并導致內(nèi)存供應緊張從 DRAM 轉向 NAND。供應鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產(chǎn)品的價格一周。行業(yè)內(nèi)部人士報告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預測）后，美光發(fā)現(xiàn)將面臨嚴重的供應短缺，促使公司緊急暫停
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          • 關鍵字：
                        美光  AI  存儲  NAND  SSD                          
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          長江存儲加速產(chǎn)能擴張：新公司注冊資本達207億，其認繳出資104億元
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 現(xiàn)在，國產(chǎn)存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設計、銷售及芯片產(chǎn)品進出口，并涉及技術服務、貨物進出口、技術進出口等全鏈條業(yè)務，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關注。股權結構方面，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司由長江存儲科技有限責任公司與湖北長晟三期投資發(fā)展有限責任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責任公司持股比例為50.19%、認繳104億元；湖北長
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          • 關鍵字：
                        長江存儲  YMTC  NAND  三星                          
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          內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應鏈的依賴
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK 
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          • 關鍵字：
                        內(nèi)存  NAND  DRAM                          
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          第二季度NAND收入環(huán)比增長22%
          
                                                            
            
                    	
          • TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應商的總收入環(huán)比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
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          • 關鍵字：
                        NAND  Flash  TrendForce                          
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          美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響
          
                                                            
            
                    	
          • 三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補充說，值得注意的是，美國政府表示將批準三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運營，但不會批準產(chǎn)能擴張或技術升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時候通過出售其大連工廠
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          • 關鍵字：
                        三星  海力士  晶圓廠  NAND                          
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          內(nèi)存漲價輪到NOR Flash！ 第四季全面漲勢更兇狠
          
                                                            
            
                    	
          • 終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預期，隨著近期市場漲價風聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區(qū)域市場全面反映報價調漲， 單季漲幅將達雙位數(shù)百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現(xiàn)貨價格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔憂
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          • 關鍵字：
                        內(nèi)存  NOR Flash                          
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          三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉換投資
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          • 關鍵字：
                        三星  SK海力士  NAND                          
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          美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證
          
                                                            
            
                    	
          • 美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴苛環(huán)境使用而設計。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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          • 關鍵字：
                        美光  內(nèi)存  NAND                          
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          中國長江存儲計劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁
          
                                                            
            
                    	
          • (圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產(chǎn)能力，目標是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產(chǎn)線。YMTC 將擴大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達到每月
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          • 關鍵字：
                        長江存儲  NAND  內(nèi)存                          
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          中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內(nèi)市場需求和政府補貼的推動下，中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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          • 關鍵字：
                        CXMT  YMTC  DRAM  NAND                          
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          「STM32 Flash 操作全解析」擦除、寫入、讀取一網(wǎng)打盡！附完整源碼
          
                                                            
            
                    	
          • 在嵌入式開發(fā)中，MCU 內(nèi)部的 Flash 常用于存儲配置信息、日志數(shù)據(jù)或用于 OTA 升級。STM32F4 系列 MCU 提供了對 Flash 的靈活操作能力，包括按扇區(qū)擦除、字節(jié)或半字寫入等。本文將圍繞一段實際使用的 Flash 操作代碼進行講解，主要涉及 Flash 的擦除、寫入與讀取功能。一、Flash 結構及操作基本原理STM32F4 MCU 的 Flash 存儲器按照扇區(qū)（Sector）劃分，每個扇區(qū)大小不一，例如在 STM32F407 中，前四個扇區(qū)大小為 16KB，第五個為 64KB，之后
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          • 關鍵字：
                        STM32  Flash                          
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	共1499條
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          nand flash介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù)		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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